 |
产品介绍
标准 at 切割晶体在 100°c 以上就会开始失效，产生噪声、不稳定性和不可靠的膜厚读数。philliptech的 ht 系列经过专门设计，可在 250°c 至 400°c 的环境下保持稳定、准确的性能，是高温 qcm 应用的理想加拿大28的解决方案。
这些 6.000 mhz at 切割晶体采用双锚电极布局（inficon 风格），并提供金、银或铝电极。每个晶体均具有应力不敏感、等离子体兼容的特性，并针对热负荷、反应性气氛和溅射条件下的实时测量进行了优化。
性能特点
- 在高达 400°c 的温度下稳定运行——无频率漂移或信号击穿
- 消除快门打开、热浪或等离子点火引起的速率尖峰
- 应力不敏感材料配方，确保薄膜生长应变下的耐用性
- 降低高能离子撞击和薄膜凝聚产生的溅射噪声
- 兼容硒、硫或金属氯化物等腐蚀性环境
可选功能与配件
电极选项
金 (au)：化学惰性且热稳定——适用于原子层沉积 (ald)、腐蚀性蒸汽工艺和有机薄膜生长
银 (ag)：在洁净真空条件下具有高的q值——是光学和介电薄膜加工的理想选择
铝 (al)：适用于高温溅射和涉及铝的工艺；与石英具有热匹配性
所有电极均在受控真空环境中沉积，并经过边缘质量和附着力检测。
技术参数
产地：美国
频率：6.000 mhz ±75 hz
晶体切割：at（ht 配方）
电极结构：双锚式（inficon 型）
直径：14 mm
工作温度范围：100°c 至 400°c
q 值：>80,000（典型值）（高温配置）
应力敏感性：热循环下很小甚至无应力敏感性
包装规格：10
重量：0.05 磅
尺寸：0.375 × 0.375 × 0.35 英寸
产品应用
原子层沉积 (ald)
化学气相沉积 (cvd)
高温ovpd和pvd
基于炉的工艺（硒化、扩散）
oled制造
光学干涉镀膜
太阳能电池层形成
ht晶体可集成到大多数商用qcm系统中，但与colnatec高温传感器头或类似额定硬件搭配使用时性能更好。
